樹脂接着は、電子機器から構造材まで幅広く活用されていますが、接着メカニズムは界面結合そのものを含め未解明のまま残されています。特に先端デバイス製造における樹脂接着には常温の強度だけでなく、実用に於いて高温度、高湿度、腐食等の環境で厳しい繰り返し応力が課せられ、技術的に未踏の領域となります。実際、これらのストレス要因が多くの市場故障を引き起こすだけでなく、信頼できる新たな先端デバイス開発を阻害しています。そこで本研究会では、先端エレクトロニクス用途に的を絞り、樹脂/金属接着界面を理解し制御するため、参画メンバーとの幅広い情報交換と共同作業を行い、接着メカニズムの基礎的な知見を得て、解析技術を開拓し、最終的に制御技術開発に結びつけます。

最近の先端半導体は微細有機基板を用いており、その信頼性課題の一つが、年々微細化するビルトアップ層間ビア底部の亀裂（Weak-Micro-Via課題）です。このビア底の亀裂は、通常の信頼性では検出されず、市場で使用中に突然故障する現象を引き起こします。先端半導体は、自動車の基幹部やデータセンターの中核的機能を担っており、5G以後の大容量・高速通信を安定的に行うための障害になるため、

1）先端半導体における Weak-Micro Via 課題のメカニズム究明と未然防止

2）微細半導体サブストレートの評価法の確立と規格標準化

が喫緊の課題です。本研究会はこれら先端半導体の高信頼性化に取り組みます。

JEITAのタスクフォースと役割分担をして進めていますので、入会をご希望の場合、事前にメール等にてご相談下さい。

SiCやGaN等ワイドバンドギャップ（WBG）パワー半導体の実現により、機器の更なる小型化はもとより、今日強く望まれるエネルギーの高効率利用、安全安心社会の到来が期待されます。これら新世代パワー半導体にはSiでは到達できない200℃を越える極限環境動作が望まれ、新たな構造設計、電気設計に加え、樹脂、金属、セラミックス等の素材開発、これらを信頼性高くシステム化する実装プロセス技術、信頼性評価技術が必要です。一方で、これら複合的部材の組み合わせやプロセス開発、更には、信頼性評価、各種現象を把握するためのナノレベルの組織評価、異相界面を通しての熱伝達やコンタクト等全てを理解することは、個々の研究機関や企業の技術開発範囲を超えており、独自の技術を有する企業連合と大学等の基礎研究機関との強い連携を目指します。

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