開催日:  令和６年５月９日（木）１３：３０〜１８：００ 

会場：　大阪大学 産業科学研究所　インキュベーション棟１階　講義室（I-117)

https://www.sanken.osaka-u.ac.jp/access

定員：　１００名　（事前登録制で枠が満員になりしだい，締め切らせて頂きます）

主催：　大阪大学産業科学研究所フレキシブル3D実装協働研究所

後援：　一般財団法人　大阪大学産業科学研究協会

参加費：　無料　

プログラム　　テーマ　【パワーモジュール実装における接合・材料開発と応用】 

13:30-13:40 　開会挨拶 

13:40-14:30　講演①　 

　　「次世代モビリティ向けパワーモジュールに期待される接合技術と課題」

　　　    株式会社ミライズテクノロジーズ

　　　  　　パワエレ第２開発部　パワエレ２１開発室　２課　　課長　岩重　朝仁　氏

概要：自動車業界は、CASEと呼ばれる新しい技術領域の革新によって変革期を迎えている。特に電動化領域では、より高効率、高出力密度、低背小型なインバータが求められ、低損失且つ高温動作可能なSiCパワー半導体の性能を引き出したパワーモジュールが期待されている。本稿では、その実現に必要な接合技術に焦点を置き、Ag焼結接合適用の課題について紹介する。

14:30-15:30　講演② 

　　　「SiC-MOSFETの低損失・高周波特性を最大限に活かした次世代パワーモジュールの開発    」WEB配信

　　　　　東北大学・国際集積エレクトロニクス研究開発センター　研究開発部門　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　

                                            　　　　　　　　　　　　　　　　　　　教授    高橋　良和　氏

概要：最近急激に市場が拡大しているEV/HEV/PHEVと、それらの電力として期待されている再生可能エネルギー分野/エネルギーマネージメント分野の基幹部品としてパワーモジュールがある。特に最近のパワーモジュールではSiC-MOSFETが採用されはじめており、デバイスの低損失・高周波特性を活かした小型/高パワー密度のパワーモジュールの研究・開発が進んできている。本講演では、最新のパワーデバイス、パワーモジュールの特徴を述べるとともに東北大学で現在研究開発を進めている次世代パワーモジュールと低熱抵抗化、低インダクタンス化などの適用要素技術に関して説明する。

15:30-15:40　休憩・講師との名刺交換会 

15:40-16:30　講演③ 

　　「銀焼結接合と新実装材料の開発による高信頼性構造への評価」

　　            大阪大学　産業科学研究所  F3D実装協働研究所     

                                 　            　　　　　　　　　　　　　　　 特任准教授    陳　伝彤　氏            

概要: SiCやGaNなどのワイドバンドギャップ（WBG）半導体材料を利用し、省エネ高効率化と小型軽量化の双方を兼ね備えるパワーデバイスの実現には、実装の長期信頼性構築が不可欠である。そのため、WBGパワーデバイスが曝される200℃～300℃の高温度領域でも動作保証する放熱材料、構造、冷却技術の革新的な技術の開発と信頼性評価が必要となる。本講演では高耐熱と高熱伝導率の焼結Agペーストを紹介し、異なる異種材との接合の特徴、またF3Dで得られた新規実装材料の開発と接合構造への新展開、構造信頼性結果を纏めて報告する。次世代パワー半導体実装信頼性と新実装材料開発方法の視点から役に立てればと考える。

16:45-18:00  講演者を交えた意⾒交換会 @ 　インキュベーション棟１階　講義室（I-117)