高真空中のプロセスチャンバーに設置された3種類のターゲットで試料上に成膜をして行く装置です。基板ホルダーサイズがφ200mmと大きい。また基板ホルダーは加熱・冷却システムを有しているので基板加熱状態でスパッタが可能です。